在2024年2月21日举办IFS Direct Connect活动中 ，英特艺进引晶英特尔分享了Intel 18A工艺此后的尔或筹算，宣布了新的步汲工艺线路图，新增了Intel 14A制程技能和数个专业节点的体管演变版本。在Intel 14A上，密度英特尔将初度引进High-NA EUV光刻技能  ，英特艺进引晶估计2028年试产
，尔或2029年量产 。步汲

据Wccftech报导，体管台积电（TSMC）和三星都在积极鞭挞1.4nm制程节点的密度斥地，为此英特尔正在思虑更新工艺线路图 ，英特艺进引晶以更好地应对竞争敌手 。尔或个中一点等于在原有Intel 14A根本上推出Intel 14A2（即Intel 14A Gen2） ，步汲属于改进版的体管制程技能。

Intel 18A是密度英特尔首个支撑PowerVia背部供电技能和GAA晶体管架构的制程技能
 ，两项新技能为其带来了较着的PPA优势。个中PowerVia是英特尔独有的 、业界首个后背电能传输群集（PDN），经由过程消弭晶圆正面供电布线需求来优化旗子记号传输 。Intel 14A也将沿袭后背供电 ，采取名为“PowerDirect”的筹划，GAA晶体管架构也将晋级至“RibbonFET 2”，从而在不异功率下，功用汲引15%至20% ，或不异功用下，功耗降低25%至35%，此外晶体管密度也将进步最多30%。

到了Intel 14A2，英特尔筹算促进最低金属互连层（M0）的间距 ，从Intel 14A的28nm缩减至21nm ，进一步汲引了晶体管密度 。原有专为后背供电筹划的nTSV筹划大年夜大年夜约没法知足晶体管往后的电流密度请求
，为此英特尔保管后背供电作为次要供电群集的同时，从头独霸部分前部金属布线 ，以担当赞助供电及部分时钟旗子记号传输的义务 ，从而经由过程双面供电筹划，减缓供电压力。

当然这类筹划会添加布线的难度，可是有看在愈加进步先辈的制程节点下完成晶体管密度、供电和建造的均衡 。